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EVG810 LT 低溫等離子活化系統用于SOI,MEMS,化合物半導體和高級襯底鍵合的低溫等離子體活化系統
一、簡介
EVG810 LT (LowTemp™)低溫等離子活化系統是一個獨立單腔室系統,具有手動操作功能。 處理室允許非原位處理(晶片一個接一個地激活并且鍵合在等離子體活化室外部)。
二、特征
用于低溫鍵合的表面等離子體活化(熔合/分子和中間層鍵合)
任何晶圓鍵合機制的快動力學
無需濕法工藝
低溫退火時的高鍵合強度(z高400°C)
適用于SOI,MEMS,化合物半導體和先進封裝
高度的材料兼容性(包括CMOS)
三、EVG810 LT 低溫等離子活化系統參數
1.晶圓尺寸:50-200mm,100-300mm
2.低溫等離子活化腔:
工藝氣體:2種標準工藝氣體(N2和O2)
通用大流量控制器:自校準(高達20.000 sccm)
真空系統:0.09 mbar
打開/關閉腔室:自動化
裝載/卸載腔室:手動(晶圓/基板放置在裝載銷上)
3.備選功能:
用于不同的晶圓尺寸的夾頭
金屬離子激活
帶有氣體混合的附加工藝氣體
帶渦輪泵的高真空系統:0.009 mbar的基礎氣壓
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